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AT25512-TH-B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AT25512-TH-B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8TSSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    5ms
  • Spannungsversorgung
    1.8 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    EEPROM
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TSSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Andere Namen
    AT25512-TH-B-899
    AT25512-TH-B-899-ND
    AT25512THB
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Kb (64K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    EEPROM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) SPI 20MHz 8-TSSOP
  • Uhrfrequenz
    20MHz
  • Basisteilenummer
    AT25512
DDTC114TKA-7-F

DDTC114TKA-7-F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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