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2N7008-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2N7008-G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    5 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    230mA (Tj)
DF38099FP10WV

DF38099FP10WV

Beschreibung: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 100QFP

Hersteller: Renesas Electronics America
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