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11AA080T-I/MNY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    11AA080T-I/MNY
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC EEPROM 8K SINGLE WIRE 8TDFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    5ms
  • Spannungsversorgung
    1.8 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    EEPROM
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TDFN (2x3)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Andere Namen
    11AA080T-I/MNYTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Kb (1K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Single Wire
  • Speicherformat
    EEPROM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    5 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    EEPROM Memory IC 8Kb (1K x 8) Single Wire 100kHz 8-TDFN (2x3)
  • Uhrfrequenz
    100kHz
  • Basisteilenummer
    11AA080
11AA040T-I/TT

11AA040T-I/TT

Beschreibung: IC EEPROM 4K SGL WIRE SOT23-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
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11AA160-I/MS

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11AA160-I/SN

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11AA160-I/S16K

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Beschreibung: IC EEPROM 16K SGL WIRE 100KHZ

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11AA080-I/TO

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11AA040T-I/SN

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11AA080-I/P

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11AA080T-I/TT

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11AA160-I/TO

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