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2617210DS2030AB-100#-Bild.Maxim Integrated

DS2030AB-100#

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS2030AB-100#
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    100ns
  • Spannungsversorgung
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-BGA (27x27)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    256-BGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27)
  • Basisteilenummer
    DS2030
  • Zugriffszeit
    100ns
MCT06030C5110FPW00

MCT06030C5110FPW00

Beschreibung: RES 511 OHM 1% 1/8W 0603

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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