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1583702DS1270AB-70IND#-Bild.Maxim Integrated

DS1270AB-70IND#

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1270AB-70IND#
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    70ns
  • Spannungsversorgung
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    36-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (2M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 70ns 36-EDIP
  • Basisteilenummer
    DS1270AB
  • Zugriffszeit
    70ns
DS1270W-100IND

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Beschreibung: IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

Hersteller: Maxim Integrated
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DS1267S-050/T&R

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Beschreibung: IC DGTL POT 50K 2CH 16SOIC

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DS1270AB-100#

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DS1267S-100+

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DS1270Y-70#

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Beschreibung: IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

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DS1270Y-100#

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DS1270Y-70

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DS1267S-100/T&R

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Beschreibung: IC DGTL POT 100K 2CH 16SOIC

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DS1270AB-100

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Beschreibung: IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

Hersteller: Maxim Integrated
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DS1270W-100IND#

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DS1267S-050+

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Beschreibung: IC DGTL POT 50K 2CH 16SOIC

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DS1267S-100

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DS1270W-100

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Beschreibung: IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

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DS1270W-100#

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DS1270AB-70

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DS1270Y-100

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DS1270AB-70IND

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DS1270AB-70#

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DS1270W-150#

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DS1270W-150

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