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3406216DS1230Y-85+-Bild.Maxim Integrated

DS1230Y-85+

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1230Y-85+
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    85ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Andere Namen
    DS1230Y85
    Q2791524
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 85ns 28-EDIP
  • Basisteilenummer
    DS1230Y
  • Zugriffszeit
    85ns
SFML-125-T2-SM-D

SFML-125-T2-SM-D

Beschreibung: .050'' X .050

Hersteller: Samtec, Inc.
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