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3316889DS1225Y-200IND+-Bild.Maxim Integrated

DS1225Y-200IND+

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1225Y-200IND+
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    200ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    64Kb (8K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
  • Zugriffszeit
    200ns
ESQT-120-03-F-D-309

ESQT-120-03-F-D-309

Beschreibung: ELEVATED 2MM SOCKETS

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig

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