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2362105DS1220AB-200IND-Bild.Maxim Integrated

DS1220AB-200IND

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1220AB-200IND
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    200ns
  • Spannungsversorgung
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 200ns 24-EDIP
  • Basisteilenummer
    DS1220A
  • Zugriffszeit
    200ns
DS1220AB-120

DS1220AB-120

Beschreibung: IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

Hersteller: Maxim Integrated
vorrätig
DS1220AD-150

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Hersteller: Maxim Integrated
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DS1220AB-150IND+

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DS1220AB-200IND+

DS1220AB-200IND+

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DS1220AB-200+

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DS1220AD-100+

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DS1220AD-120

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DS1220AD-120+

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DS1220AB-150+

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DS1220AD-200

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DS1220AD-100

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DS1220AB-100IND+

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DS1220AB-120+

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DS1220AB-150

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DS1220AB-100IND

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DS1220AB-150IND

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DS1220AD-150+

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DS1220AB-100+

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DS1220AD-100IND+

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DS1220AD-100IND

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