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CSD18509Q5BT

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Spezifikation

Artikelnummer

CSD18509Q5BT
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-VSON-CLIP (5x6)
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 195W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

296-37962-2
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13900pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Ta)

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Das Folgende sind "CSD18509Q5BT" -Einziper.

CSD18502Q5BT

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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