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Spezifikation

Artikelnummer

CSD17579Q3AT
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-VSONP (3x3.15)
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)

3.2W (Ta), 29W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

296-38463-1
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

998pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Ta)

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Beschreibung:

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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