BQ4013MA-120

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Spezifikation

Artikelnummer

BQ4013MA-120
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

120ns
Spannungsversorgung

4.75 V ~ 5.5 V
Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

32-DIP Module (18.42x42.8)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

1Mb (128K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

NVSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
Basisteilenummer

BQ4013
Zugriffszeit

120ns

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "BQ4013MA-120" -Einziper.

BQ4011YMA-100

Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

BQ4013MA-120

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