Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > UMB3NFHATN
Online-Anfrage
Deutsch
4668518

UMB3NFHATN

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.063
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    UMB3NFHATN
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT6
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    UMB3NFHATNTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
88-569786-11G

88-569786-11G

Beschreibung: TV07RW-19-11PA W/ PC CON

Hersteller: Amphenol Aerospace Operations
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden