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5416960UMA5NTR-Bild.LAPIS Semiconductor

UMA5NTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UMA5NTR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.UMA5NTR.pdf
    2.UMA5NTR.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    MA5

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Das Folgende sind "UMA5NTR" -Einziper.
UMA5817-T7

UMA5817-T7

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UMA7NTR

UMA7NTR

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMAC040130A003TA01

UMAC040130A003TA01

Beschreibung: CAP/BATTERY LITHIUM 10F 2.3V

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
UMAF5819

UMAF5819

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A ULTRAMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UMA4NTR

UMA4NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMAF5817

UMAF5817

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UMA1V4R7MDD1TP

UMA1V4R7MDD1TP

Beschreibung: CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RFQ
UMA1V4R7MDD1TE

UMA1V4R7MDD1TE

Beschreibung: CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RFQ
UMA2NTR

UMA2NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMA6NT1

UMA6NT1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMA8NTR

UMA8NTR

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMA9NTR

UMA9NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMAL

UMAL

Beschreibung: UM MAT RAMP TRIM ALUM

Hersteller: Omron Automation & Safety
vorrätig
RFQ
UMA5819

UMA5819

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A ULTRAMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UMA4NT1G

UMA4NT1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMA6NTR

UMA6NTR

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMA3NTR

UMA3NTR

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMA5818

UMA5818

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A ULTRAMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UMA4NT1

UMA4NT1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMAF5818

UMAF5818

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A ULTRAMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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