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1601990UMA1NTR-Bild.LAPIS Semiconductor

UMA1NTR

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    UMA1NTR
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  • Bestandsmenge
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  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    56 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    MA1
UMA1HR33MDD

UMA1HR33MDD

Beschreibung: CAP ALUM 0.33UF 20% 50V RADIAL

Hersteller: Nichicon
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UMA1HR47MDD

UMA1HR47MDD

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UMA1HR47MCD2

UMA1HR47MCD2

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UMA1V220MDD1TE

UMA1V220MDD1TE

Beschreibung: CAP ALUM 22UF 20% 35V RADIAL

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UMA1HR33MDD1TE

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UMA1V2R2MCD2

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UMA1V330MDD

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UMA1HR33MDD1TP

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UMA1HR33MCD2

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UMA1V220MDD

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UMA1V2R2MCD2TP

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UMA1V330MDD1TE

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UMA1V100MDD1TP

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UMA1V220MDD1TP

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UMA1HR47MDD1TE

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UMA1HR33MCD2TP

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UMA1HR47MCD2TP

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