RYE002N05TCL

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Spezifikation

Artikelnummer

RYE002N05TCL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RYE002N05TCL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

EMT3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

RYE002N05TCLTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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Das Folgende sind "RYE002N05TCL" -Einziper.

CPH3448-TL-W

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A CPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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