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4657011RTF025N03FRATL-Bild.LAPIS Semiconductor

RTF025N03FRATL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RTF025N03FRATL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    2.5V DRIVE NCH MOSFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RTF025N03FRATL.pdf
    2.RTF025N03FRATL.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMT3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    67 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    800mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    3-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    RTF025N03FRATLDKR
  • Betriebstemperatur
    150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RTF025N03FRATL" -Einziper.
IPP60R380C6XKSA1

IPP60R380C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RTFD12B

RTFD12B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 12

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
RFQ
RTFD14B

RTFD14B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 14

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
RFQ
RTF010P02TL

RTF010P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RTF025N03TL

RTF025N03TL

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NMSD200B01-7

NMSD200B01-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RTF015N03TL

RTF015N03TL

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
RTF020P02TL

RTF020P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RTFD18B

RTFD18B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 18

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
RFQ
RTFD10B

RTFD10B

Beschreibung:

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
RFQ
RTFD16B

RTFD16B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 16

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
RFQ
RTF015P02TL

RTF015P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RTF016N05TL

RTF016N05TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RTFD24B

RTFD24B

Beschreibung: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 24

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
RFQ
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

Beschreibung: FET ENGR DEV-NOT REL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RTFD20B

RTFD20B

Beschreibung:

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics
vorrätig
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