RT1A045APTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RT1A045APTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RT1A045APTCR.pdf
2.RT1A045APTCR.pdf
3.RT1A045APTCR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSST
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

650mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

RT1A045APTCRCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RT1A045APTCR" -Einziper.

RT184012

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 12V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity

vorrätig

RT1A045APTCR

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