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5539371RS1G300GNTB-Bild.LAPIS Semiconductor

RS1G300GNTB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1G300GNTB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3W (Ta), 35W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    RS1G300GNTBTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4230pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 30A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Ta)
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 400V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1GB-13

RS1GB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1GFA

RS1GFA

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 400V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1G/1

RS1G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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