RRS110N03TB1

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Spezifikation

Artikelnummer

RRS110N03TB1
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RRS110N03TB1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

RRS110N03TB1DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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Das Folgende sind "RRS110N03TB1" -Einziper.

RRS1K0

Beschreibung: POT 1K OHM 500W WIREWOUND LINEAR

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RRS110N03TB1

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