RRQ020P03TCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RRQ020P03TCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RRQ020P03TCR.pdf
2.RRQ020P03TCR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Ta)

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Das Folgende sind "RRQ020P03TCR" -Einziper.

SIHB24N65ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RRQ020P03TCR

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