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6063196RRL035P03FRATR-Bild.LAPIS Semiconductor

RRL035P03FRATR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RRL035P03FRATR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    PCH -30V -3.5A POWER MOSFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RRL035P03FRATR.pdf
    2.RRL035P03FRATR.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMT6
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    RRL035P03FRADKR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    800pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RRL035P03FRATR" -Einziper.
RRL025P03FRATR

RRL025P03FRATR

Beschreibung: PCH -30V -2.5A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDU8780

FDU8780

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS5C450NT3G

NVMFS5C450NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AO4264E

AO4264E

Beschreibung:

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
RRL025P03TR

RRL025P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRLPDOL

RRLPDOL

Beschreibung: DOLLY LOW PROFILE HEAVY DUTY

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ
SKI03063

SKI03063

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FDAF59N30

FDAF59N30

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK7E07-55B,127

BUK7E07-55B,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
NTMFS4937NCT3G

NTMFS4937NCT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFT74N20Q

IXFT74N20Q

Beschreibung: MOSFET N-CH TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
APT12067B2LLG

APT12067B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RRL035P03TR

RRL035P03TR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SPB80N03S2L06T

SPB80N03S2L06T

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTD24N06L-1G

NTD24N06L-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUZ73HXKSA1

BUZ73HXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RRLDCASTER

RRLDCASTER

Beschreibung: CASTERS (4) LIGHT DUTY

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ

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