RRH100P03TB1

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Spezifikation

Artikelnummer

RRH100P03TB1
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RRH100P03TB1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

650mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

RRH100P03TB1CT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "RRH100P03TB1" -Einziper.

FDMS7560S

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RRH100P03TB1

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