RRF015P03GTL

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Spezifikation

Artikelnummer

RRF015P03GTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RRF015P03GTL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TUMT3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

320mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, Flat Leads
Andere Namen

RRF015P03GTLCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 1.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RRF015P03GTL" -Einziper.

IRF7726TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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RRF015P03GTL

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