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2668153RRE07VTM6SFHTR-Bild.LAPIS Semiconductor

RRE07VTM6SFHTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RRE07VTM6SFHTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 700mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMD2SM
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    RRE07VTM6SFHDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 700mA Surface Mount TUMD2SM
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    700mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
VS-10ETF02S-M3

VS-10ETF02S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS16_S00Z

BAS16_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S15JC R7G

S15JC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE02VSM4STR

RRE02VSM4STR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE04EA6DFHTR

RRE04EA6DFHTR

Beschreibung: RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
ES1AL MQG

ES1AL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
EG 1AV

EG 1AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RS1DLHRHG

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
12TQ045STRR

12TQ045STRR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RB162M-40TR

RB162M-40TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

Beschreibung: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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