RQ7E110AJTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ7E110AJTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ7E110AJTCR.pdf
2.RQ7E110AJTCR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 10mA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 4.5A, 11V
Verlustleistung (max)

1.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

RQ7E110AJTCRTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "RQ7E110AJTCR" -Einziper.

RQ73C2B95R3BTD

Beschreibung: RES 95.3 OHMS 0.1% 0.4W 1206

Hersteller: AMP Connectors / TE Connectivity

vorrätig

RQ7E110AJTCR

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