RQ5E070BNTCL

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ5E070BNTCL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ5E070BNTCL.pdf
2.RQ5E070BNTCL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.1 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-96
Andere Namen

RQ5E070BNTCLTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

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Das Folgende sind "RQ5E070BNTCL" -Einziper.

IXFH60N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RQ5E070BNTCL

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