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95766RN142ZS12ATE61-Bild.LAPIS Semiconductor

RN142ZS12ATE61

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN142ZS12ATE61
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    HMD12 (2.4x0.8)
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    12-XFDFN
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    PIN - 6 Independent
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode PIN - 6 Independent 30V 50mA HMD12 (2.4x0.8)
  • Strom - Max
    50mA
  • Kapazität @ Vr, F
    0.45pF @ 1V, 1MHz
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN143-4-02-3M9

RN143-4-02-3M9

Beschreibung: CMC 3.9MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN143-1-02

RN143-1-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Beschreibung: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN143-2-02-10M

RN143-2-02-10M

Beschreibung: CMC 10MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Beschreibung: DIODE PIN 60V UMD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN143-4-02

RN143-4-02

Beschreibung: CMC 3.9MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN143-1-02-47M

RN143-1-02-47M

Beschreibung: CMC 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN143-2-02

RN143-2-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 10MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN142STE61

RN142STE61

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN142GT2R

RN142GT2R

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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