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5927477RFN10T2D-Bild.LAPIS Semiconductor

RFN10T2D

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFN10T2D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    980mV @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FN
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    5A
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN2L4STE25

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN20NS3SFHTL

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Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN10NS6SFHTL

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Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN10BM3STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN20NS6STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN10NS6STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN20NS6SFHTL

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Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN1LAM6STR

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Beschreibung:

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RFN10B3STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 10A CPD

Hersteller: Rohm Semiconductor
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RFN1L6STE25

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN1LAM7STFTR

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Beschreibung: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN20TF6SFH

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

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RFN20NS4SFHTL

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Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN1LAM7STR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

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RFN10BM3SFHTL

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Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN20TF6S

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN20TJ6SGC9

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

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