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905331RF101A2ST-32-Bild.LAPIS Semiconductor

RF101A2ST-32

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RF101A2ST-32
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A MSR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    870mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    MSR
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-41 Mini, Axial
  • Andere Namen
    RF101A2ST-32TB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole MSR
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
ERJ-S1TJ620U

ERJ-S1TJ620U

Beschreibung: RES SMD 62 OHM 5% 1W 2512

Hersteller: Panasonic
vorrätig

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