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5617663RF08L6STE25-Bild.LAPIS Semiconductor

RF08L6STE25

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    RF08L6STE25
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PMDS
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    70ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RF08L6STE25TR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    RF08L6S
RF081MM2STR

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ823CS

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Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF071L4STE25

RF071L4STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF064PJ912CS

RF064PJ912CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RF064PJ822CS

RF064PJ822CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF073M2STR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF071M2STR

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Beschreibung:

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RF071LAM4STR

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RF064PJ910CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ914CS

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Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF071MM2STR

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ824CS

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Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ754CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ820CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ913CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF081LAM2STR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF081L2STE25

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ821CS

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RF081M2STR

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RF064PJ911CS

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