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1101026RE1J002YNTCL-Bild.LAPIS Semiconductor

RE1J002YNTCL

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  • Artikelnummer
    RE1J002YNTCL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT3F (SOT-416FL)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    150mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-89, SOT-490
  • Andere Namen
    RE1J002YNTCL-ND
    RE1J002YNTCLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    26pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    0.9V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    200mA (Ta)
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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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Hersteller: SICK
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