RDX100N60FU6

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Spezifikation

Artikelnummer

RDX100N60FU6
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RDX100N60FU6.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FM
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

45W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "RDX100N60FU6" -Einziper.

SI4831BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RDX100N60FU6

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