RD3H080SPTL1

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2500+

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Spezifikation

Artikelnummer

RD3H080SPTL1
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PCH -45V -8A POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RD3H080SPTL1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

91 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)

15W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

RD3H080SPTL1TR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

45V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 45V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Ta)

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Das Folgende sind "RD3H080SPTL1" -Einziper.

RD3H200SNTL1

Beschreibung: NCH 45V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RD3H080SPTL1

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