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R6011ENX

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  • Artikelnummer
    R6011ENX
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    R6011ENXCT
    R6011ENXCT-ND
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Tc)
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6011230XXYA

R6011230XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6011625XXYA

R6011625XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6012225XXYA

R6012225XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6012425XXYA

R6012425XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6011630XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6011430XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6011830XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6012025XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6012ANX

R6012ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6011KNJTL

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6012ANJTL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6012625XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6011030XXYA

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Beschreibung: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6012FNJTL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6011ENJTL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6011425XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6011KNX

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6012030XXYA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

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