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6398916QH8MA3TCR-Bild.LAPIS Semiconductor

QH8MA3TCR

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  • Artikelnummer
    QH8MA3TCR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29 mOhm @ 7A, 10V
  • Leistung - max
    1.5W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    QH8MA3TCRTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A, 5.5A
QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
AUIRF9952Q

AUIRF9952Q

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FDMA1027PT

FDMA1027PT

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
QH8KA1TCR

QH8KA1TCR

Beschreibung: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SIA912DJ-T1-GE3

SIA912DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDS4501H

FDS4501H

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
TPCF8304(TE85L,F,M

TPCF8304(TE85L,F,M

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
DMC2400UV-7

DMC2400UV-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
APTMC120TAM33CTPAG

APTMC120TAM33CTPAG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
QH8KA2TCR

QH8KA2TCR

Beschreibung: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
ALD114804APCL

ALD114804APCL

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
QH8JA1TCR

QH8JA1TCR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DMP2075UFDB-13

DMP2075UFDB-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
AON6932A

AON6932A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
FDS6875

FDS6875

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
SI3948DV-T1-GE3

SI3948DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
QH8MA4TCR

QH8MA4TCR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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