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2867371MP6M14TCR-Bild.LAPIS Semiconductor

MP6M14TCR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MP6M14TCR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    MPT6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 8A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    MP6M14TCRTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.3nC @ 5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2W Surface Mount MPT6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A, 6A
  • Basisteilenummer
    *M14
MP6KE82A

MP6KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE91A

MP6KE91A

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

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