IMH3AT110

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Spezifikation

Artikelnummer

IMH3AT110
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IMH3AT110.pdf
2.IMH3AT110.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

IMH3AT110CT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

*MH3

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Das Folgende sind "IMH3AT110" -Einziper.

IMH24T110

Beschreibung: TRANS PREBIAS 2NPN 20V SC74

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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