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2427262EMG9T2R-Bild.LAPIS Semiconductor

EMG9T2R

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  • Artikelnummer
    EMG9T2R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Andere Namen
    EMG9T2RCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MG9
KNP1WSJT-52-0R11

KNP1WSJT-52-0R11

Beschreibung: RES WW 1W 5% AXIAL

Hersteller: Yageo
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