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320562EMD6T2R-Bild.LAPIS Semiconductor

EMD6T2R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EMD6T2R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    EMD6T2R-ND
    EMD6T2RTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MD6
GRM1885C1H8R4DZ01D

GRM1885C1H8R4DZ01D

Beschreibung: CAP CER 8.4PF 50V NP0 0603

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig

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