EMB51T2R

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Spezifikation

Artikelnummer

EMB51T2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.EMB51T2R.pdf
2.EMB51T2R.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

EMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

EMB51T2RCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

30mA

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Das Folgende sind "EMB51T2R" -Einziper.

EMBA232B2PB-DV-F-D

Beschreibung: SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 TFBG

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

EMB51T2R

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