EMA3T2R

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Spezifikation

Artikelnummer

EMA3T2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.EMA3T2R.pdf
2.EMA3T2R.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Supplier Device-Gehäuse

EMT5
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "EMA3T2R" -Einziper.

EMA40DRMI

Beschreibung: CONN EDGE DUAL FMALE 80POS 0.125

Hersteller: Sullins Connector Solutions

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