DTC323TUT106

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC323TUT106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DTC323TUT106.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

15V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DTC323TUT106-ND
DTC323TUT106TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

600mA
Basisteilenummer

DTC323

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Das Folgende sind "DTC323TUT106" -Einziper.

DTC144WUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC323TUT106

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