DTA143EMFHAT2L

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Spezifikation

Artikelnummer

DTA143EMFHAT2L
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTA143EMFHAT2L.pdf
2.DTA143EMFHAT2L.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VMT3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

DTA143EMFHAT2LDKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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DTA143EETL

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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