DTA123JU3T106

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Spezifikation

Artikelnummer

DTA123JU3T106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DTA123JU3T106.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DTA123JU3T106TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTA123JU3T106" -Einziper.

DTA123JKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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