DTA114EMT2L

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Spezifikation

Artikelnummer

DTA114EMT2L
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTA114EMT2L.pdf
2.DTA114EMT2L.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VMT3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

DTA114EMT2L-ND
DTA114EMT2LTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

20 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA
Basisteilenummer

DTA114

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Das Folgende sind "DTA114EMT2L" -Einziper.

JBC25DEYH

Beschreibung: CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.100

Hersteller: Sullins Connector Solutions

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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