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3911031BR25H080FVT-2CE2-Bild.LAPIS Semiconductor

BR25H080FVT-2CE2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BR25H080FVT-2CE2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC EEPROM 8K SPI 10MHZ 8TSSOPB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    4ms
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    EEPROM
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TSSOP-B
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Andere Namen
    BR25H080FVT-2CE2CT
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Kb (1K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    EEPROM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    EEPROM Memory IC 8Kb (1K x 8) SPI 10MHz 8-TSSOP-B
  • Uhrfrequenz
    10MHz
BR25H080FJ-WCE2

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Beschreibung: IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8SOPJ

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BR25H128F-2CE2

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Beschreibung: IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8SOP

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BR25H080FVT-WCE2

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BR25H160F-2LBH2

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BR25H040FVT-2CE2

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BR25H040FVM-2CTR

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Beschreibung: IC EEPROM 4K SPI 10MHZ 8MSOP

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BR25H080FJ-2CE2

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BR25H080F-WCE2

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BR25H128FVT-2ACE2

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BR25H080FVM-2CTR

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BR25H040FJ-WCE2

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BR25H160F-2CE2

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