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28503802SK2887TL-Bild.LAPIS Semiconductor

2SK2887TL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK2887TL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    CPT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    20W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    2SK2887TL-ND
    2SK2887TLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3A (Ta)
2SK2847(F)

2SK2847(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2917(F)

2SK2917(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2943

2SK2943

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK2962,T6F(M

2SK2962,T6F(M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2845(TE16L1,Q)

2SK2845(TE16L1,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1A DP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2962(T6CANO,F,M

2SK2962(T6CANO,F,M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2854(TE12L,F)

2SK2854(TE12L,F)

Beschreibung: MOSFET RF N CH 10V 500MA

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2962(T6CANO,A,F

2SK2962(T6CANO,A,F

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2962,T6F(J

2SK2962,T6F(J

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2740

2SK2740

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
2SK2848

2SK2848

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK2803

2SK2803

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK2744(F)

2SK2744(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2866(F)

2SK2866(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2962,F(J

2SK2962,F(J

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK275100L

2SK275100L

Beschreibung: JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK2916(F)

2SK2916(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2883(TE24L,Q)

2SK2883(TE24L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2962,T6WNLF(J

2SK2962,T6WNLF(J

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK2962(TE6,F,M)

2SK2962(TE6,F,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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