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16137472SD2696T2L-Bild.LAPIS Semiconductor

2SD2696T2L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SD2696T2L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 30V 0.4A VMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    30V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2mA, 100mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    VMT3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    2SD2696T2LTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    400MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 400mA 400MHz 150mW Surface Mount VMT3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    270 @ 100mA, 2V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    400mA
M55342K04B200BRBS

M55342K04B200BRBS

Beschreibung: RES SMD 200K OHM 0.1% 0.15W 1505

Hersteller: Dale / Vishay
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