2SD2351T106W

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Spezifikation

Artikelnummer

2SD2351T106W
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SD2351T106W.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

2SD2351T106WCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

820 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

300nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA
Basisteilenummer

2SD2351

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Das Folgende sind "2SD2351T106W" -Einziper.

2SD2401

Beschreibung: TRANS NPN DARL 150V 12A MT200

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.

vorrätig

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