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2SD2211T100Q

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SD2211T100Q
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SD2211T100Q.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    160V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    2V @ 100mA, 1A
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    MPT3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-243AA
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    80MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 1.5A 80MHz 2W Surface Mount MPT3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 100mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    1.5A

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Das Folgende sind "2SD2211T100Q" -Einziper.
ELC-3GN150M

ELC-3GN150M

Beschreibung: FIXED IND 15UH 430MA 600 MOHM

Hersteller: Panasonic
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